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摘要 : 二极管工作原理：正向导电，反向不导 二极管正向导电的原因晶 体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在
二极管工作原理：正向导电，反向不导
二极管正向导电的原因晶
体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流，也就是导电的原因。
二极管反向不导电的原因
当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0，这也就是不导电的原因。
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摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二极管工作原理来理解一下二极管的反向击穿
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，***了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，RS3MBF二极管生产厂家，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，二极管生产厂家，若对其电流不加限制，都可能造成PN结损坏
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摘要 : 在前面几期的ASEMI课堂中大家已经对低压降肖特基有了初步的认识，今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装。
相信通过前面几期的ASEMI课堂，大家都已经对低压降肖特基有了初步的认识。今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装差异与不同封装对低压降性能优势的发挥。
首先，一起来看一下这两款低压降肖特基二极管型号的封装差异，让我们首先来了解一下一下"CT"/"FCT"和“VCT”/“VFCT”的含义差别。
“CT”/“FCT”一般作为常规型肖特基二极管的封装标识，代表电性参数相同的不同封装形式，HER508二极管生产厂家，“FCT”代表全塑封封装，“CT”代表铁头封装。
“VCT”/“VFCT”则针对的是低压降肖特基二极管的封装标识，同样也是代表具有低压降技术的电性参数相同的不同封装形式，“VFCT”代表全塑封封装，“VCT”代表铁头封装。
常常会有工程或者采购朋友们咨询ASEMI的技术工程师，铁头跟塑封哪一种封装性能更突出，尤其在低压降肖特基二极管哪种能够将低压降低能耗的优势发挥到多大？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点。
ASEMI低压降肖特基二极管SBT2060VFCT全塑封装绝缘性更好
我们经常所说采用塑封或者全塑封，就是指肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，这种环氧材料具有非常好的抗热性，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道SBT2060VFCT应用领域多为电源高频整流环节，所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。
ASEMI肖特基二极管SBT2060VCT铁头封装散热性表现更佳
这款肖特基二极管除了有采用为保障电路安全的全塑封装外，还有另外一种封装，那就是为解决散热性问题的铁头封装。采用铁头封装的型号打标方式为SBT2060VCT与全塑封装SBT2060VFCT相区别。这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。
综上所述，就是ASEMI“CT”/“FCT”和“VCT”/“VFCT”的含义差别与性能优势，不知工程及采购朋友掌握了没有呢？仅供参考，希望对大家在以后应用货采购上有所帮助。期待下期再会。
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