Diodes(美台)DMG1013T P沟道MOS管
DGM1013T产品主要特性:
1,低导通电阻
2,低门限电压
3,低输入电容
4,快速切换速度
5,低输入/输出泄漏
6,静电放电保护高达3kV
7,完全无铅且完全符合RoHS,不含卤素和锑。
8,符合AEC-Q101高可靠性标准
P沟道MOS管DGM1013T采用 SOT523封装,主要用于DC-DC直流变换器,负载开关,电源管理等产品。
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