产品介绍:
◇ 用途:适用于电力半导体器件及电真空器件。 用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
◇ 特点:钼圆片表面光亮,粗糙度可达Ra1.60,热导电性能好,热膨胀系数小,且耐高温, 抗压强度优于现行同类产品
◇ 规格:(Φ5.0-150.0)×(0.2-6.0)mm 符合国标GB/T 14592-93
◇ 参数:比重:10.2g/cm 3 电阻率:不大于6.26×10 -6 Ω.cm
◇ 热膨胀系数:4.0×10 -6 μm/(m.k)-6.4×10 -6 μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
◇ 如果您有特殊要求,可协商解决。
联系电话:15319194646 姜女士
***:1660725181