精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量lt;0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，***靶材技术，可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，鞍山***靶材，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、***、铂等也能达到≥6 的水平。
半导电胶辊通常用在复印机、电子传真装置等办公设备中。半导电胶辊属于半导电元件，且电阻值受环境影响较大，对产品的导电性要求极其严格，因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施，所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。因此需精密的量测，故要求有一套高精密的量测系统来支持，方能达到产品的设计要求。
平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场，亦将带动ITO靶材的技术与市场需求。如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟混合后烧结，一种是采用铟锡合金靶材。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，***靶材工艺，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。
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