硅晶圆片
随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。
哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。
选型指导：
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特性 |
产品描述 |
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常规硅片直径 |
1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12" |
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厚度 |
50um至10000um |
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超薄硅片直径 |
5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm |
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超薄硅片厚度 |
2um至50um，公差&plu***n;0.5µm、&plu***n;1.0µm、&plu***n;1.5µm |
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表面粗糙度 |
Prime Grade wafer Ra<5Å . |
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掺杂类型 |
P型、N型、无掺杂 |
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晶向 |
〈100〉&plu***n; 0.5°;〈110〉&plu***n;0.5°;〈111〉&plu***n; 0.5°，〈100〉&plu***n; 1°，〈110〉&plu***n;1° |
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表面处理 |
抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理 |
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电阻率 |
0~至 20000 (Ω·cm) |
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级别 |
Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade |
产品举例：
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产品描述 |
尺寸举例 |
规格 |
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多孔硅晶圆，Porous silicon wafer |
76.2mm |
10片 |
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无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer |
100mm |
10片 |
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氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD |
100mm |
10片 |
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FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer |
25.4mm |
10片 |
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热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer |
76.2mm |
25片 |
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超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers |
6″ |
5片 |
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太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells |
6″，5″ |
25片 |
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外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer |
100mm |
10片 |
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N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates |
100mm |
100片 |
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各种硅晶片 |
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我们致力于为客户提供***的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。
对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接***性***实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。
小常识：
将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在***IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。
用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。
我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要***小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。
我们提供***式超薄超平硅片，厚度从5µm到100µm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1µm。
我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。