型号： S29GL256P10TFI010
品牌： Spansion（飞索半导体）
类别： Parallel NOR Flash
容量： 256M bit
设备说明： 3.0 V，页面模式闪存，采用90 nm MirrorBit. 工艺技术制造
速度： 100ns
封装类型： 56针薄小外形封装(TSOP) 标准针脚引出线(TSO56)
封装材料： Pb free
温度范围： 工业（-40 ℃到+85°C）
VIO 范围： VIO = VCC = 2.7 到3.6 V，***高地址扇区受保护
包装类型： 标准料盘
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S29GL-P MirrorBit系列闪存概述
Spansion S29GL01G/512/256/128P 是采用90nm 工艺技术制造的Mirrorbit. 闪存产品。这些设备提供25ns 的快速页面读取时间，相应的随机读取时间可达90ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中***多可编程32 字/64 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。
独有特性
■ 单个3V 读取/ 编程/ 擦除(2.7-3.6 V)
■ 增强的VersatileI/O. 控制
– 所有输入电平（寻址、控制和DQ 输入电平）和输出均由VIO 输入的电压决定。VIO 的范围是1.65 到VCC
■ 90 nm MirrorBit 工艺技术
■ 8 字/16 字节页面读取缓冲器
■ 32 字/64 字节写入缓冲器可缩短多字更新的总体编程时间
■ 安全硅扇区区域
– 128 字/256 字节扇区，通过8 字/16 字节随机电子序列号提供***安全的标识
– 可在工厂或者由用户进行编程和锁定
■ 统一的64 千字/128 千字节扇区架构
– S29GL01GP：1024 个扇区
– S29GL512P：512 个扇区
– S29GL256P：256 个扇区
– S29GL128P：128 个扇区
■ 通常情况下每个扇区可擦除100,000 次
■ 通常情况下20 年数据保持能力
■ 提供的封装
– 56 针TSOP
– 64 球加固BGA
■ 编程和擦除操作的挂起和***命令
■ 写入操作状态位指明编程和擦除操作是否完成
■ ***省略编程命令可缩短编程时间
■ 支持CFI （Common Flash Interface，通用闪存接口）
■ ***扇区保护的持久和密码方法
■ WP#/ACC 输入
– 加快编程速度（当应用了VHH 时），在系统生产期间提高生产量
– 保护***个或***后一个扇区，忽略扇区保护设置
■ 硬件复位输入(RESET#) 复位设备
■ 就绪/ 忙碌# 输出(RY/BY#) 检测编程或擦除循环是否完成