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深圳市一池电子有限公司

普通会员14
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企业等级:普通会员
经营模式:
所在地区:广东 深圳
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企业概况

深圳市一池电子有限公司,是一家专业经营储存器、IPM(智能功率模块)、驱动IC、光耦等电子元器件的专业公司,成立于2007年,其前身是佳欣电子,现已从事电子元件行业十余年,在为客户提供电子元件配套服务等方面具有较丰富的行业经验。本公司专业经销SAMSUNG(三星)、Hynix/HY(海力士/韩国现代......

H57V2562GTR-60C  

产品编号:4331513                    更新时间:2020-08-17
价格: 来电议定

深圳市一池电子有限公司

  • 主营业务:DIPIPM-日本三菱智能功率模块,储存器, 驱动IC, 光...
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产品详情

型号: H57V2562GTR-60C                     
品牌:      HYNIX
类别: DRAM~~SDR  SDRAM
容量:      256M
芯片结构:  x16
产品封装:  TSOP
速度:    6.0ns (166MHz CL=3)
-----------------------------------------------------------------------------------------------------                                                                                                                                            SDRAM 介绍

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。
影响性能的主要时序参数
     所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽,频率与位宽固定后,带宽也就不可更改了。但这是理想的情况,在内存的工作周期内,不可能总处于数据传输的状态,因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短,内存工作的效率越高,性能也就越好。
   非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述,大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要,它们是tRCD、CL和tRP。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值,可见它们对性能的敏***。
   以内存***主要的操作——读取为例。tRCD决定了行寻址(有效)至列寻址(读/写命令)之间的间隔,CL决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间,tRP则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况(分析写入操作时不用考虑CL即可):
                                                                                             

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