| 品牌 | 华晶 | 型号 | 4N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HA/行输出级 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | ***大漏极电流 | 4000（mA） |
| ***大耗散功率 | 30（mW） |
该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的VDMOS场效应晶体管，主要用于充电器、适配器的功率开关电路。
无锡华润华晶微电子有限公司
普通会员第16年
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