STMICROELECTRONICS - STW10NK80Z - 场效应管 MOSFET N TO-247
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制造商: STMICROELECTRONICS
库存编号: 808
制造商编号: STW10NK80Z
产品信息
晶体管极性:N沟道
电流, Id 连续: 9A
电压, Vds ***大: 800V
在电阻***（上）: 900mohm
电压 @ ***测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3.75V
功耗, Pd: 160W
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: TO-247
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd: 160W
功耗: 160W
封装类型: TO-247
封装类型, 替代: SOT-249
漏极电流, Id ***大值: 9A
电压 Vgs @ *** on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 800V
电压, Vgs ***高: 30V
电流, Idm 脉冲: 36A
表面安装器件: 通孔安装
通态电阻, *** on @ Vgs = 10V: 900mohm
产品编号： STW10NK80Z
制造商： STMicroelectronics
说明： MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
数据表：
产品： General Purpose MOSFETs
晶体管极性： N-Channel
电阻基极/源极 ***（导通）： 0.9 Ohm @ 10 V
基极/源极击穿电压： 800 V
漏极连续电流： 9 A
功率耗散： 160000 mW
闸/源击穿电压： + /- 30 V
正向跨导 gFS（***大值/***小值）： 9.6 S
封装/箱体： TO-247
封装： Tube
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STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
N-CHANNEL 800V - 0.78W - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247
Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
n TYPICAL ***(on) = 0.78 W
n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
n 100% ***ALANCHE TESTED
n GATE CHARGE MINIMIZED
n VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
n VERY GOOD MANUFACTURING
REPEATIBILITY
DESCRIPTION
The SuperMESH? series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established stripbased
PowerMESH? layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is taken
to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applicati***. Such series complements
ST full range of high voltage MOSFETs including
revolutionary MDmesh? products.
APPLICATI***
n HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
n SWITCH MODE POWER SUPPLIES
n DC-AC CONVERTERS FOR WELDING, UPS
AND MOTOR DRIVE
ORDERING INFORMATION
TYPE VDSS ***(on) ID Pw
STP10NK80Z
STP10NK80ZFP
STW10NK80Z