超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，***带材哪家好，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种：热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下：
热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好，河南***带材，但设备投入高，生产成本高，产品的缺氧率高。
背靶材料：
无氧铜(OFC)– 目前***常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，***带材生产加工，而且比较容易机械加工。 如果***适当，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(Mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，优质***带材，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
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