区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，金电解槽设计报价，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，金电解槽设计，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，金电解槽设计加工，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，金电解槽设计哪家好，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。
用于电子照相成像装置和喷墨成像装置的导电辊是通过将导电性泡沫弹性体包覆于导电性金属芯材的外周而制成的。所述导电性泡沫弹性体是通过将导电性材料分散在普通弹性体中以使该弹性体具有导电性，并使用空气或者氮气对弹性体进行机械发泡、或者使用发泡剂进行化学发泡而形成的。
导电辊，所述导电辊的电阻率几乎不会随着环境变化而改变。根据本发明的一方面，提供了一种导电辊，该导电辊包括导电性芯材，以及包覆于所述导电性芯材的外周的泡沫弹性层。
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