MICROW***E POWER GaAs FET
FEATURES:
HIGH PPWER
P1dB=39.5dBm at 11.7GHz to 12.7GHz
BROAD BAND INTERNALLY MATCHED
HIGH GAIN
G1dB=5.0dB at 11.7GHz to 12.7GHz
HERMETICALLY SEALED PACKAGE
泉州新益达微波电子有限公司是一家微波射频电子元器件销售企业,公司总部设于泉州,并在深圳,成都等设分支机构。公司自2000年创办以来,始终以“质量保证、客户满意、开拓创新、追求卓越”作为公司的经营宗旨。公司在射频、微波通讯领域具有技术专长,其产品包括:各类微波功率器件、微波无源有源器件以及低温微波器件......
价格: | 来电议定 |
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MICROW***E POWER GaAs FET
FEATURES:
HIGH PPWER
P1dB=39.5dBm at 11.7GHz to 12.7GHz
BROAD BAND INTERNALLY MATCHED
HIGH GAIN
G1dB=5.0dB at 11.7GHz to 12.7GHz
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