公司在射频、微波通讯领域具有技术专长，其产品包括：各类微波功率器件、微波无源有源器件以及低温微波器件等。其频率覆盖从UHF、L、Ls、S、C、X、Ku频段至毫米波频段。公司的产品已被广泛的应用于短波通信、导航、***、测控、航空、航天、天文等领域。
经过多年的渠道累计，我司在Cree、Toshiba、Amcom、Triquint、Sumitomo、Skyworks、NXP、Freescale、Macom、Microsemi、Hittite、Nitronex、Pulsar、UMS、Synergy、E2V、Xilinx、Mitsubishi、RFMD、***ago等众多品牌上有着非常便捷通畅的交期优势，可满足客户对于新品实验的样品现货供应和批量生产的成本控制，并有强大的技术团队同时提供选型、配套及对电子元器件的筛选，测试，定制等延伸服务。
我们将竭力为您的每一份需求取得响应，为您提供规范化、***化、多元化、***的优质服务。欢迎来电来邮选购！
产品质量 ： 以原厂出厂指标验收，确保三年以内原装***。
研发阶段 ： 我司常备库存现货，非库存产品，可满足2周***货。
本产品具体指标如下：
The MGF***5B3436B is an internally impedance-matched
GaAs power FET especially designed for use in 3.4 – 3.6
GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic
package guarantees high reliability.
FEATURES
Class AB operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power
Po(SAT)=30W (TYP.) @f=3.4 – 3.6GHz
High power gain
GLP=11.0dB (TYP.) @f=3.4 – 3.6GHz
Distortion
ACP=-45dBc (TYP.) @f=3.4 – 3.6GHz