产品介绍
一、 芯片基本介绍
ME8110主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的
一款高性能控制芯片。ME8110 内部集成了一个脉宽调制控制器和一个600V以上的高压功率
MOSFET。ME8110 的启动电流很低，它的电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这
些特性保证了电源能轻松达到***严苛的能源***要求。 ME8110 的集成功能包括电流检测的
前沿消隐，内部斜率补偿，逐周期峰值电流限制和软启动。 另外，在误动作时，过流保护(OCP)，
过压保护(OVP) 和过载保护 (OLP) 能为芯片提供充分的保护。总之，ME8110 拥有更好的特
性和更低的电源成本
主要特点如下：
1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于100mW超低耗的性能。
2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统***小工作频
率控制在22K左右。
3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启
动时间。
4)更低工作电流：工作电流约为 2.5mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。
5)内置前沿消隐：内置350nS前沿消隐（LEB），可以节省一个外部的R-C网络，降低系统成
本。
6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得
全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。
7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，恒定的 OPP可以使系统
设计简洁可靠，同时满足安规的要求。
8)软启动功能：内置2mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。
9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。
10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以
降低系统的EMI 成本。
ME8110主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、辅助电源而设计的
一款高性能控制芯片。ME8110 内部集成了一个脉宽调制控制器和一个600V以上的高压功率
MOSFET。ME8110 的启动电流很低，它的电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这
些特性保证了电源能轻松达到***严苛的能源***要求。 ME8110 的集成功能包括电流检测的
前沿消隐，内部斜率补偿，逐周期峰值电流限制和软启动。 另外，在误动作时，过流保护(OCP)，
过压保护(OVP) 和过载保护 (OLP) 能为芯片提供充分的保护。总之，ME8110 拥有更好的特
性和更低的电源成本
主要特点如下：
1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于100mW超低耗的性能。
2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统***小工作频
率控制在22K左右。
3)更低启动电流：VDD启动电流低至 5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启
动时间。
4)更低工作电流：工作电流约为 2.5mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。
5)内置前沿消隐：内置350nS前沿消隐（LEB），可以节省一个外部的R-C网络，降低系统成
本。
6)内置良好的 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易使得
全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。
7)完善的保护功能：集成了完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，恒定的 OPP可以使系统
设计简洁可靠，同时满足安规的要求。
8)软启动功能：内置2mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。
9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。
10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特性，同时可以
降低系统的EMI 成本。
四、各脚的功能以及调试中注意事项：
1．VDD-G脚：
通过调节 VCC and VCC-G 之间的电阻可以调节驱动能力。这个电阻能减小内部门级驱动
的上升时间，这个电阻还能改善 EMI 状况。 但是这个电阻不能太大，否则会降低系统
效率（特别是在连续电流模式时），该电阻参考值在51-510欧之间。
2. 电源VDD脚：
ME8110 的启动电流低至5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时
间。 VCC脚外接限流电阻参考值在10-51欧之间。启动电阻 RIN 的***大功率损耗：
在下图中，RIN 的***大功率损耗可以用下面的公式计算出来，公式如下：
Vdc,max： ***大输入电压整流后的直流电压
V ： 芯片正常工作的电压
1．VDD-G脚：
通过调节 VCC and VCC-G 之间的电阻可以调节驱动能力。这个电阻能减小内部门级驱动
的上升时间，这个电阻还能改善 EMI 状况。 但是这个电阻不能太大，否则会降低系统
效率（特别是在连续电流模式时），该电阻参考值在51-510欧之间。
2. 电源VDD脚：
ME8110 的启动电流低至5uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时
间。 VCC脚外接限流电阻参考值在10-51欧之间。启动电阻 RIN 的***大功率损耗：
在下图中，RIN 的***大功率损耗可以用下面的公式计算出来，公式如下：
Vdc,max： ***大输入电压整流后的直流电压
V ： 芯片正常工作的电压
3. FB反馈输入脚：
了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。
0.8V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值，1.0V-3.4V为系统正常工作时FB
脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压***频率增大，***大***到65K左右)，3.4
V-4.2V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时FB脚电压值。0.8V（典型值）以下
GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为0.42mA。当FB脚电压持续60mS大于3.4V或
小于0.8V时,GATE端立即关闭输出脉冲，保护整个系统的安全。
4. 电流检测SENSE脚：
开关电流经过一检测电阻流进SENSE脚，进行PWM调制。另外内置一个350nS前沿消隐
电路，可以为系统节省一外部 R-C网络。如前沿噪声超过前沿消隐时间导致系统异常时，
可以考虑外加R-C网络，但是R-C网络取值不宜过大（推荐 R-C网络的取值为：R≤510 ，
C≤220PF没有特别的需要，不建议外接 R-C 网络），否则电流反馈信号失真过大导致在
启动和输出短路时MOS管VDS过高等异常现象。
5. DRAIN脚：
ME8110内部集成了一个脉宽调制控制器和一个650V（600V） 的高压功率 MOSFET，该
脚为内部高压功率 MOSFET的漏极接变压器初级。
6.GND：芯片的电源接地脚，画PCB时注意与功率地分开布线。
了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。
0.8V-1.0V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值，1.0V-3.4V为系统正常工作时FB
脚电压值(该电压段对应的开关频率随电压***频率增大，***大***到65K左右)，3.4
V-4.2V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时FB脚电压值。0.8V（典型值）以下
GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为0.42mA。当FB脚电压持续60mS大于3.4V或
小于0.8V时,GATE端立即关闭输出脉冲，保护整个系统的安全。
4. 电流检测SENSE脚：
开关电流经过一检测电阻流进SENSE脚，进行PWM调制。另外内置一个350nS前沿消隐
电路，可以为系统节省一外部 R-C网络。如前沿噪声超过前沿消隐时间导致系统异常时，
可以考虑外加R-C网络，但是R-C网络取值不宜过大（推荐 R-C网络的取值为：R≤510 ，
C≤220PF没有特别的需要，不建议外接 R-C 网络），否则电流反馈信号失真过大导致在
启动和输出短路时MOS管VDS过高等异常现象。
5. DRAIN脚：
ME8110内部集成了一个脉宽调制控制器和一个650V（600V） 的高压功率 MOSFET，该
脚为内部高压功率 MOSFET的漏极接变压器初级。
6.GND：芯片的电源接地脚，画PCB时注意与功率地分开布线。