一、 芯片介绍与注意事项
基本介绍
ME8401是一款专门针对功率因数校正而设计的控制芯片。主要针对300W以内开关电源、
适配器 、充电器而设计。全电压范围内可以轻松做到非常高PF值、很小的总谐波失真电流
（THD）。内部的乘法器带有***优化的THD专门电路，能有效地控制AC输入电流的交越失真和
误差放大器输出纹波失真，从而提高功率因数和降低（THD）。
1、主要特点
● 宽电源电压范围（10.5-21V）、内部THD优化电路
● 极低的启动电流（110uA）和工作电流（1.8mA）
● 峰值电流控制模式（工作在临界TM状态）
● 推挽式驱动输出，高达+800mA/-600mA的驱动电流
● 内部参考电压精度为1%以内
● 可调的外部过电压保护,能有效的处理开机和负载变化时产生的过电压
● 内置电流检测低通滤波器
● 封装形式：SOP-8 、DIP-8
二、 各脚功能、调试中注意事项
1、COMP脚
差分放大器的输出脚。用来做频率补偿，通常在输出端和反向输入端之间并联一个反馈电
容来实现。差分放大器的带宽非常的低，因为差分放大器的输出周期必须始终大于线性频
率的半个周期（差分放大器的频率低于100Hz(线性频率的一半周期），才能获得高功率因
数。差分放大器的动态输出，箝位在2-5.8V之间，箝位的目的是使差分放大器能在过电压
低压饱和状态和过电流高压饱和状态中快速***。芯片拥有两级过电压保护功能（OVP）,
通过连接到差分放大器的输出脚来实现。一旦过电压，差分放大器的输出会趋向于低饱和
状态，但是差分放大器的响应速度非常慢，因此要花比较长的时间才进入饱和状态。另一
方面，一旦过压必须马上校正过来。因此，就很有必要需要一个快速的过压检测器，在稳
定状态下，通过RA的电流和通过RB的电流是相等的，因为补偿电容不能流过直流电流的
（同时差分放大器的反向输入端也呈现高祖状态）。
***大过压保护点设置公式如下：
Iovp=(Vo-2.5)/RA=2.5/RB (Iovp为40uA)
当输出电压突然升高时（由于负载突变），通过RA的电流也增大，但是通过RB的电流不
会变大，因为RB上的电压在内部固定为2.5V，不是因为E/A慢。增大的电流通过反馈电容
流入到差分放大器的低阻抗输出端，增大的电流将被检测到。在这种情况下，两种步骤将
发生。当增大的电流达到37uA时，乘法器的输出电压将减少，导致从电源输入的能量也减
少。以此来减小输出电压的上升速率。在某些情况下，这种“软制动”功能可以避免输出
电压过度偏离设定值。尽管有软制动的存在，有时输出电压也会过度的增加，一旦流入差
分放大器的电流达到40uA，“紧急制动”将发生。乘法器的输出将被拉低到地电平，于是
输出关断同时外部MOSFET也关断。同时内部启动电路也关闭。由于电流比较器有迟滞功能，
直到输入差分比较器的电流小于10uA时，电压拉低才结束，输出状态得以***。在动态OVP
时，由于存在软制动和紧急制动，他们能处理大多数负载变动引起的电压波动，但是不能
提供完善的保护。事实上， “软制动”和“紧急制动”容易受到输出电压变化的影响（称
为动态变化） ，并不能使输出电压稳定，例如发生在负载断开的状况。上面提到差分放大
器在饱和时可以触发静态OVP，如果过压时间过长以致差分放大器的输出电压小于2.25V（差
分放大器的线性动态为2.5V），保护功能将被触发。并且关断输出，使外部MOSFET停止工
作，同时关断一些内部模块，使静态工作电流减小到1.4mA。当差分放大器的输出回到它的
线性区域时，芯片又被重新***。