产品详细说明
H57V2562GTR-75C 制作商：Hynix 产品类别：SDRAM
工作电压：3V~3.6V 工作温度：-55`C~125`C
接口位宽:并联 *16bit 速度：133MHz
存储介质类别： (4Mbit x 4banks x 16) I/O
存储密度：256M(16M*16)
封装类型：54 Pin TSOP 400mil x 875mil 0.8毫米（脚距）
标准包装：960/包 （托盘）
工作原理：
SDRAM支持的操作命令有初始化配置、预充电、行***、读操作、写操作、自动刷新、自刷新等。所有的操作命令通过控制线CS#、RAS#、CAS#、WE#和地址线、体选地址BA输入。
1.行*** 行***命令选择处于空闲状态存储体的任意一个行，使之进入准备读/写状态。从体***到允许输入读/写命令的间隔时钟节拍数取决于内部特征***和时钟频率。HY57V561620内部有4个体，为了减少器件门数，4个体之间的部分电路是公用的，因此它们不能同时被***，而且从一个体的***过渡到另一个体的***也必须保证有一定的时间间隔。
2.预充电 预充电命令用于对已***的行进行预充电即结束活动状态。预充电命令可以作用于单个体，也可以同时作用于所有体（通过所有体预充电命令）。对于猝发写操作必须保证在写入预充电命令前写操作已经完成，并使用DQM禁止继续写入数据。预充电结束后回到空闲状态，也可以再次被***，此时也可以输入进入低功耗、自动刷新、自刷新和模式设置等操作命令。预充电中重写的操作与刷新操作一样，只不过预充电不是定期的，而只是在读操作以后执行的。因为读取操作会***内存中的电荷。因此，内存不但要每64ms刷新一次，而且每次读操作之后还要刷新一次。
3.自动预充电 如果在猝发读或猝发写命令中，A10/AP位置为“1”，在读写操作完成后自动附加一个预充电动作。操作行结束活动状态，但在内部状态机回到空闲态之前不能给器件发送新的操作命令。
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