品牌：TI德州仪器
型号：CSD16321Q5C
批号：1402+
封装形式：QFP/PFP
类型：数字
集成电路用途：通信
功能：单片机
导电类型：双极
型封装外形：单列直插式
集成度：中规模50~100
CSD16321Q5C
品牌：TI
型号：CSD16321Q5C
封装：VSON-8
包装：2500
年份：1402+
数量：750000
德州TI 大陆***代理商.
深圳市亿威盛世股份有限公司
联系人：徐波
电话：13312991513
***:1134043964
传真：0755-23932352
参数产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
CSD16321Q5C PDF***
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
产品目录绘图 CSD164 Series N-Channel Pkg
特色产品 DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
标准包装 2,500
系列 NexFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏***源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态***（***大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.4 毫欧 @ 25A，8V
Id 时的 Vgs(th)（***大） 1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3100pF @ 12.5V
功率 - ***大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TDFN ***焊盘
供应商设备封装 8-SON-EP（5x6）
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 296-25643-2
数据列表CSD16321Q5C
产品相片8-Power TDFN
产品培训模块NexFET MOSFET Technology
视频文件NexFET Power Block
PowerStack™ Packaging Technology Overview
设计资源Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
特色产品DualCool™ NexFET™ CSD16 Q5C MOSFETs
制造商产品页CSD16321Q5C Specificati***
标准包装 2,500类别分立半导体产品家庭FET - 单系列NexFET™包装 带卷（TRFET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)25V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）31A （Ta）， 100A （Tc）不同 Id、Vgs 时的 *** On（***大值）2.4 毫欧 @ 25A，8V不同 Id 时的 Vgs(th)（***大值）1.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)19nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3100pF @ 12.5V功率 - ***大值3.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-TDFN ***焊盘供应商器件封装8-SON-EP（5x6）产品目录页面1623 (CN2011-ZH PDF)
类 别： Semiconductors >> Power Management
The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati*** and optimized for 5V gate drive applicati***.
DualCool™ Package SON 5×6mm
Optimized for Two Sided Cooling
Optimized for 5V Gate Drive
Ultralow Qg and Qgd
Low Thermal Resistance
***alanche Rated
Pb Free Terminal Plating
RoHS Compliant and Halogen Free
APPLICATI***
Point-of-Load Synchronous *** in Networking,
Telecom and Computing Systems
Optimized for Synchronous FET Applicati***
DualCool, NexFET are trademarks of Texas Instruments.