激光器 http:///
大功率激光打标机半导体激光器结构的生产通常用MOVPE平行反应堆。有水平衬底的垂直反应堆***次用于MOVPE生长的AIGaAs半导体激光器的建造，这种激光器仍用于实验室里。能多薄片操纵的反应堆正在几个公司使用，尤其是在AIGaAs太阳能电池的生产上，这种形式的反应堆并不是平的，而是斜靠着衬底支撑物的。
以上反应堆的共同特征是只有温度传感器的温度被控制（或利用红外线加
热），反应堆的温度不受控制，而是起源于感受器的辐射加热和流动载流气体所带来的热量通过热传导和热辐射所带来的能量。
在密封的反应堆里，气体被引入一个活跃制冷的***器。防止流入紧挨着***器的衬底，反映对立的衬底是利用反应室的特定的加热元素来加热的oTur—bodisc TM反应堆的设计与此类似，气体的供应是通过在制冷反应堆顶部Ⅲ族和V族各自的进口来提供的，并有网孔进行筛选，衬底放置在一个比密封空间反应堆大得多的空间里，反应堆的均匀分配是通过防止对流衬底支撑物的非常快的旋转(lOOOrpm)来实现的。这个反应堆规模已达每圈(3 8×2)in，这个电容当前用于太阳能电池和LED应用。
另一种激光打标机半导体激光器的生成反应堆是Planelary，n型。它的源材料被注入对称辐射反应堆中心并流向边缘。衬底被放在离入口有一定距离的地方。为弥***体的辐射膨胀和资源损耗，薄片分开转动，主要的衬底支撑物的旋转使其偏离辐射对称，导致衬底的补丁运动，石英反应堆的顶部位于衬底上20mm处。它通过制冷器体混合物来温控，可用于不同直径；其容量(5×3)in，高(5×6)in到(95×2)in，广泛应用于LED生产和太阳能电池的结构中。
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