特性
--900 nm到1520 nm近红外波段高灵敏度
--高分辨率：640×512像素
--半导体制冷-70℃，暗电流低
--真空密封头，无需***
--非***性读出特性
应用
--使用EL或PL进行太阳能电池和面板的检测
--通信器件研发
--半导体检测
--热成像仪
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型号 |
C10633-34 |
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成像设备 |
InGaAs传感器 |
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有效像素数 |
640 (H)×512 (V) |
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像素尺寸 |
20 μm (H)×20 μm (V) |
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有效面积 |
12.8 mm (H)×10.24 mm (V) |
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读出速度 |
1.6 帧/秒，0.88帧/秒（使用HCImage校正） |
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读出噪声 |
80电子rms |
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***时间 |
自由运行模式和外部控制模式边沿触发下1.305 ms（855 μs步长），外部控制模式电平触发下750 μs |
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制冷方式 |
半导体+水制冷 |
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制冷温度 |
-70 ℃（水温+20 ℃） |
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暗电流 |
132electron/pixel/s（典型值） |
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外部触发模式 |
边沿触发（***性读出模式）、电平触发（***性读出模式） |
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信号输出 |
RS-422 |
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接口 |
RS-232C |
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A/D转换 |
12位 |
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镜头卡口 |
C卡口 |
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供电 |
AC100 V 到 AC240 V, 50 Hz/60 Hz |
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功耗 |
约80 W |
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工作温度 |
0 ℃到+40 ℃ |
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存储温度 |
-10 ℃到+50 ℃ |
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工作湿度 |
***大70 % （无凝结情况下） |