|
主要特点： |
|
1. 单个基片、碎片或带承片盘的基片(3”-12”尺寸) |
|
2. 适用于实验室和试制线生产 |
|
3. 沉积薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和无定形硅 |
|
4. 操作简单通过打开室盖，直接将基片装入工艺室 |
|
5. 可选配一个ICP 或三极管（Triode）源，三极管可获得更高密度等离子 |
北京特博万德科技有限公司
普通会员第14年
|
公司主营：半导体晶片wafer 纳米粉体 微米粉体