型号：6MBI100S-120 品牌：富士 封装：IGBT模块 产地：日本
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一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理：
半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣的同事可以查阅。
N沟道 P沟道
1 IGBT的工作原理
IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止
由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——IGBT栅极与发射极之间的电压;
——IGBT集电极与发射极之间的电压;
——流过IGBT集电极－发射极的电流;
——IGBT的结温。
富士示例型号：
6MBI100S-120;1MBI1200U4C-120;1MBI1200U4C-170;1MBI1200VC-120
1MBI1200VC-170E;1MBI1600U4C-120;1MBI1600U4C-170;1MBI1600VC-120
1MBI1600VC-170E;1MBI200HH-120L-50;1MBI200N-120;1MBI200U4H-120L-50
1MBI2400U4D-120;1MBI2400U4D-170;1MBI2400VC-120;1MBI2400VC-170E
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1MBI600PX-140;1MBI600U4-120;1MBI600U4B-120;1MBI600V-120-50
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2MBI100SC-120;2MBI100U4A-120;2MBI100U4H-170;2MBI100VA-060-50
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