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生长方法 |
VB |
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导电类型 |
N型 |
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掺杂元素 |
Si |
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直径 |
2-4 |
英寸 |
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方向 |
(100) 150 &plu***n; 10′off toward〈111〉A |
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载流子浓度 |
Min: 0.2 E18 |
Max: 4.0 E18 |
/cm3 |
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电阻率 |
Min: 0.8 E-3 |
Max: 9.0 E-3 |
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迁移率 |
≥ 1800 |
cm2/v.s |
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位错密度 |
≤ 3500 |
/cm2 |
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其他规格可按客户要求提供