IGBT综合特性测试仪
一：主要特点
华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至1600A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。
二：华科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT测试仪应用范围
C：大功率二极管
序号
测量范围
V二极管正向导通压降
&plu***n;1%,&plu***n;1mV
二极管正向导通电流
≤200A时,&plu***n;1%&plu***n;0.1A
＞200A时,&plu***n;1%
集电极-发射极电压
&plu***n;1%,&plu***n;1V
通态集电极电流
≤200A时,&plu***n;1%&plu***n;0.1A
＞200A时,&plu***n;1%
集电极-发射极漏电流
&plu***n;1%,&plu***n;10μA
栅极-发射极阈值电压
&plu***n;1%,&plu***n;1mV
集电极-发射极饱和电压
&plu***n;1%,&plu***n;1mV
正向栅极漏电流
&plu***n;2%,&plu***n;1nA
反向栅极漏电流
栅极发射极电压
&plu***n;1%,&plu***n;1mV
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可***测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。