氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。
氧化锆(YSZ)晶体基片 产品简介:氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格较低因而得以广泛应用。 技术参数: 化学分子式 (Zr,Y)O2with Zr : Y = 91:9 晶体结构 立方 晶格常数 a = 5.125 Å 密度 5.8 g / cm3 纯度 99.99% 熔点 2800 oC 热膨胀系数 10.3 x10-6/ oC 介电常数 27 晶体生长方法 弧熔法 产品规格: <100>, <110>, <111>公差:+/-0.5度 dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm 单抛或双抛,Ra<5A 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
化学分子式 |
(Zr,Y)O2 with Zr : Y = 87:13 |
晶体结构 |
立方 |
晶格常数 |
a = 5.125 Å |
密度 |
5.8 g / cm3 |
纯度 |
99.99% |
熔点 |
2500 ℃ |
热膨胀系数 |
10.3 x10-6 / ℃ |
介电常数 |
27 |
晶体生长方法 |
弧熔法 |
***大尺寸 |
2" diameter |
标准基片 单抛或双抛 |
2" dia. x 0.5 mm 1" dia. x 0.5 mm 10 x 10 x 0.5 mm |
标准方向 |
(100), (110) and (111) |
方向公差 |
&plu***n; 0.3° |
表面粗糙 |
<5Å |