力和力矩传感器属于传统传感器范畴，发展较早，技术也相对成熟，多数可以直接进行工程应用。光电开关传感器的技术与力和力矩传感器相比是丙途中不同技术的应用，而力和力矩传感器是当前其技术占在于改进原有传感器性能和提高其准确度和精度上。随着科学的发展和技术水平的提高，多维力传感器逐渐成为又一新的研究热点。我国的六维力传感器研究的主要性能指标在二十世纪九十年代就已达到***水平。
成像质量。CCD电荷耦合器制作 技术起步早中，技术成熟，采用PN结或二氧化硅隔离层隔离噪声，成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势。由于CMOS光电传感器集成度高，各光电传感元件、电路之间距离很近，相互之间的光、电、磁干扰较严重，噪声对图像质量影响很大，使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用。近年，随着CMOS电路消噪技术的不断发展，为产生高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件
温度的变化对光电开关中的光敏二极管的亮电流影响较小，但是对暗电流的影响却十分显著。光敏二极管在高照度下工作时，由于亮电流比暗电流大得多，温度的影响相对来说比较小。但在低照度下工作时，因为亮电流较小，暗电流随温度变化就会严重影响输出信号的温度稳定性。在这种情况下，应选用硅光敏管，这是因为硅管的暗电流要比锗管小几个数量级，同时还可以在电路中采取适当的温度补偿措施，或者将光信号进行调制，对输出的电信号采用交流放大，利用电路中隔直电容的作用，就可以隔断暗电流，消除温度的影响。
CCD是一种以电荷包形式存储和传递信息的半导体表面器件，是在MOS结构电荷存储器的基础上发展起来的，所以有人将其称为排列起来的MOS电容陈列。一个MOS电容器是一个光敏元，可以感应一个像素点，则一个图像有多少个像素点，就需要多少个同样的光敏元，即传递一幅图像需要由许多MOS光敏元大规模集成的器件。
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