氮化硅陶瓷基板
常压烧结法( PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4 分解温度升高(通常在N2 = 1atm气压下,从1800℃开始分解)的性质,在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后,再在1800———2000℃温度范围内进***压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷***致密化,从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似
深圳市海德精密陶瓷有限公司是一家开发、设计、生产、销售先进精密陶瓷产品的公司。先进陶瓷与金属相比,具有高硬度、高强度、耐高温(耐火)、耐磨损、耐腐蚀、耐酸碱、抗氧化、绝缘、无磁性、化学稳定性好等优异性能,所以它常常用在金属材料无法胜任的环境中。先进陶瓷的用途前景广阔,广泛用在航天、航空、军工、核能、......
氮化硅陶瓷基板
常压烧结法( PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4 分解温度升高(通常在N2 = 1atm气压下,从1800℃开始分解)的性质,在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后,再在1800———2000℃温度范围内进***压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷***致密化,从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似
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