XP162A11C0PR是一款低通态电阻和超高速开关特性的P沟道MOSFET。XP162A11C0PR采用小的SOT-89封装，使其具有高密度安装可能。XP162A11C0PR因为高速切换是可能的，该集成电路可以有效地设置，从而节省能源。一个栅极保护二极管是内置的，以防止静电损坏。
特点
低通态电阻:***(on)=0.15Ω@Vgs=-10V
:***(on)=0.28Ω@Vgs=-4.5V
输出电压:-4.5V
功能:超高速开关
二极管内置栅极保护
输出形式:P沟道型MOSFET
封装: SOT-89
适应环保要求:与EU RoHS规格对应,无铅
应用
●笔记本电脑
●蜂窝和移动电话
●车载电源
●锂离子电池系统
极限参数
|
PARAMETER |
SYMBOL |
RATINGS |
UNITS |
|
Drain-Source Voltage |
Vdss |
-30 |
V |
|
Gate-Source Voltage |
Vgss |
&plu***n;20 |
V |
|
Drain Current (DC) |
ld |
-2.5 |
A |
|
Drain Current (Pulse) |
ldp |
-10 |
A |
|
Reverse Drain Current |
ldr |
-2.5 |
A |
|
Channel Power Dissipation * |
Pd |
2 |
W |
|
Channel Temperature |
Tch |
150 |
℃ |
|
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
℃ |
* When implemented on a ceramic PCB
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