一氧化硅
化学符号：SiO
规格：-300~500目
分 子 量：44.08
熔 点：1700℃
密 度：2.1g/cm3
折 射 率(波长/nm)：1.8-1.9(550)
1.7(6000)
透明波段/nm：500-8000
相对介电常数:6
损耗因数：0.015-0.02
频 率/kHz：1-103
坩 埚：Ta
蒸发源方式：Ta、Mo
沉积技术：蒸镀
溶 解 于：王水
在10-4Torr蒸发温度：850℃
薄膜的机械和化学性质：适用电阻蒸发，应用低速率。低压下快速蒸发。
应 用：保护膜，冷光膜，装饰膜
SiO分析报告：
元素 检测值ppm 元素 检测值ppm 元素 检测值ppm
Iron (Fe) 5 Copper(Cu) <5 Nickel (Ni) <5
Chromium (Cr) <20 Manganese (Mn) 14 Aluminium(Al) 16
Magnesium(Mg) 22