Q***.0认证与QC3.0认证有哪些区别
QC3.0比QC2.0升压更细化了，提供了充电效率，减少功率损耗，新增了一项名为Dual Charge的技术。此外，Q***.0还对“INOV”算法进行了优化，能更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。
什么是Q***.0认证？
11月17日，高通刚刚在纽约的骁龙技术峰会上发布了新一代的快充技术Q***.0。高通认为，快充已经成为了影响用户购买设备的重要因素之一，高通***新的Q***.0快充技术，能够给用户带来让人满意的快速充电体验。
高通用“5 FOR 5”来形容Q***.0，这项技术能在充电5分钟的的情况下，让用户使用5个小时（电池容量：2750mAh），它可以在15分钟内，将一个电池容量为2750mAh的设备充至50%的电量。Q***.0向下兼容以往的QC快充，支持USB Type-C、USB PD。
Q***.0的改进主要在以下几个方面：
1、支持支持USB Type-C、USB PD，具备更强的兼容性。
2、在***中增加了更***的技术，延长电池使用寿命，提升充电的安全性。
3、通过INOV算法***大化提升充电效率，优化充电过程，减少发热。
4、使用第二个电源管理芯片以提供双重快充，结合智能热平衡设计，优化充电效率。
Q***.0使用了***新的电源管理芯片***B1380和***B1381，阻抗更低，峰值效率提升至96%，具有更高的充电效率，可在厚度不到0.8mm的电池内使用，为轻薄型快充设备提供了***的支持。***B1380和***B1381将在2016年底前上市发售，Q***.0技术预计在2017年上半年投入使用，骁龙835正是支持Q***.0技术的SoC。
Q***.0认证机构
Q***.0认证***只有美国UL可以发证，作为美国UL***实验室，全测在做QC3.0认证有一定的时间，价格等优势！
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