光电探测器的历史发展
1873年，英国发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。
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光子型探测器
光子型探测器（ photon detector） 利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器，也称光电型探测器。探测器中的电子直接吸收光子的能量，使运动状态发生变化而产生电信号，和力达单光子检测，常用于探测红外辐射和可见光。利用内光电效应制成的光子型探测器，是用半导体材料制成的固态电子器件，主要包括光电导探测器和光伏型探测器等。
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单光子探测仪SPCM-S-APD的功能
单光子计数模块通过端接***B公口的RF电缆输出脉冲信号，输出信号需要使用50Ω终端匹配电阻进行信号匹配。模块提供门控制功能，用于方便用户在程序控制下进行单光子计数模块的使能和禁止。SPCM-S-APD具有温度采集和制冷控制功能，为了适应环境温度的变化，内部控制电路会采用不同的控温策略，以便检测器一直处于***强工作状态。SPCM-S-APD单光子计数模块具有比SPCM-APD单光子计数模块更小的体积。
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