西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省******支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。
分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数，如一下参数；
1、二极管DIODE
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IR |
0.10V-2kV |
1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVR |
0.10V-2kV |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
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VF |
0.10V-5.00V -9.99V |
IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1mV |
VF:1%+10mV IF:1%+1nA |
2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICES IGESF IGESR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVCES |
0.1V-900V -1.4KV -1.6KV |
100μA-200mA -100mA -50mA |
1mV |
1%+100mV |
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VGETH |
0.10V-20V(50V)2 |
1nA-3A |
1mV |
1%+10mV |
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VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合参数) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA |
3、晶体管 TRANSISTOR
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICBO ICEO/R/S/V IEBO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVCEO BVCBO BVEBO |
0.10V-900V -1.4kV -1.6kV 0.10V-2KV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-200mA -100mA -50mA -50mA 1nA(20pA)1-3A |
1mV |
1%+10mV 1%+10mV |
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hFE(1-10000) |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V -49.9V |
IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 -3A IB:1nA-10A |
0.01hFE |
VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
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VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE |
VCE:0.10V-5.00V -9.99V VBE:0.10V-9.99V |
IE:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IB:1nA-10A |
1mV |
V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
4、MOS场效应管 MOS-FET
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IDSS/VIGSSFIGSSR VGSFVGSR |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVDSS |
0.10V-2kV |
1nA-50mA |
1mV |
1%+100mV |
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VGSTH |
0.10V-49.9V |
ID:100uA-3A |
1mV |
1%+ 10mV |
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VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON ***ON(混合参数) gFS (混合参数) |
VD VF:0.10V-5.00V -9.99V VGS:0.10V-9.99V |
IFID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV IF.ID:1%+1nA IG：1%+5nA |
5、J型场效应管J-FET
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IGSS IDOFF IDGO |
VGS:0.10V-20V(80V)2 VDS:0.10V-999V |
1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA |
1nA(1pA)1
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1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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BVDGO BVGSS |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
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VDSON，VGSON IDSS，IDSON ***ON (混合参数) gFS (混合参数) |
0.10V-5.00V -9.99V |
ID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A |
1mV |
V:1%+10mV ID:1%+1nA IG:1%+5nA |
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VGSOFF |
0.10V-20V(80V)2 |
ID:1nA(20pA)2-3A VD:0.10V-50V |
1mV |
1%＋10mV |
6、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
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测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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IDRM、IRRM、 IGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A |
1nA(1pA)1 |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
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VDRM、VRRM BVGKO |
0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 |
1nA-50mA 1nA-3A |
1mV 1mV |
1%+100mV 1%+10mV |
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VTM |
0.10V-5.00V -9.99V |
10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 |
1 mV |
VT:1%+10mV IT:1%+1nA |
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I GT VGT |
VD:5V-49.9V VGT:0.10V-20V(80V)2 VT:100mV-49.9V |
IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
1mV 1nA |
1%+10mV 1%+5nA |
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IL(间接参数) |
VD:5V-49.9V |
IL:100μA-3A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT |
N/A |
N/A |
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IH |
VD:5V-49.9V |
IH:10uA-1.5A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT (IAK初值由RL设置) |
1uA |
1%+2uA |