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西安易恩电气科技有限公司

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企业等级:普通会员
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所在地区:陕西 西安
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企业概况

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区,是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内半导体功率元器件、集成电路测试设备领域的知名测试方案供应商。公司以自主研发生产的“大功率半导体轨道交通车用测试系统”系列产品为主导,在此基础上相继推出全自动IGBT参......

实验室专用功率碳化硅MOSFET电参数测试系统

产品编号:805471949                    更新时间:2019-07-29
价格: ¥188.00

西安易恩电气科技有限公司

  • 主营业务:电力电子,工业电气产品的研发
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产品详情

 MOSFET综合测试系统技术指标

1 栅极-源极电压VGSS及漏电流IGSS

电压VGS:-20V-20V 误差&plu***n;3%&plu***n;0.2V

电流IGSS:0.01-10µA误差&plu***n;3%&plu***n;0.01µA

漏极电压:VDS=0V         

2 漏极-源极电压VDSS及电流IDSS

漏极电压VDSS:0-150V  误差&plu***n;3%

漏极电流IDSS:0.1µA-10mA  误差&plu***n;5%&plu***n;0.1µA

栅极电压VGS=0V

3 栅极-源极阀值电压VGS(th)

VGS(th):0.1-10V 误差&plu***n;3%&plu***n;0.1V

显示栅极-源极阈值电压VGS(th)

VDS= VGS

漏极电流ID:0.1-2mA 误差&plu***n;3%

4 ***(on)/IDM

***(on):0~2mΩ

栅极电压VGS:10V 误差&plu***n;2%&plu***n;0.2V

漏极电流ID:10-2000A误差&plu***n;3%

漏极冲击电流IDM:10-3500A 误差&plu***n;3%

5 二极管压降测试VF/I***

VF:0.1-5V 误差&plu***n;3%&plu***n;0.01V

栅极电压VGS:0V

电流IF:10-2000A误差&plu***n;3%

反向冲击电流I***:10-3500A 误差&plu***n;3%

6 热敏电阻R

R:0~10K

7 开关时间测试条件

ØID:50A~900A

ØVDS:0V~50V

ØVGS:0V~+20V&plu***n;3%&plu***n;0.1V

ØRg:5R、10R可选择

l负载:***负载、阻性负载

l电感范围:20µH、50µH、100µH、200µH

l电阻范围:0.05R

8 MOSFET开关特性测试参数

Ø开通延迟td(on):20ns-10μs

20ns~99ns&plu***n;3%&plu***n;1ns;

100ns~999ns&plu***n;3%&plu***n;5ns;

1000ns~10μs&plu***n;3%&plu***n;10ns。

Ø上升时间tr:20ns-10μs

20ns~99ns&plu***n;3%&plu***n;1ns;

100ns~999ns&plu***n;3%&plu***n;5ns;

1000ns~10μs&plu***n;3%&plu***n;10ns。

Ø关断延迟时间td(off):20ns-10μs

20ns~99ns&plu***n;3%&plu***n;1ns;

100ns~999μs&plu***n;3%&plu***n;5ns;

1000ns~10μs&plu***n;3%&plu***n;10ns。

Ø下降时间tf:20ns-10μs

20ns~99ns&plu***n;3%&plu***n;1ns;

100ns~999ns&plu***n;3%&plu***n;5ns;

1000ns~10μs&plu***n;3%&plu***n;10ns。

9 二极管反向***特性测试

FRD测试条件:

Ø正向电流IF:50A~900A

Ø反向电压Vr:0V~50V

负载:***负载可选

电感范围:20μH、50μH、100μH、200μH

FRD测试参数:

Ø反向***时间trr:20ns~2μs

20ns~99ns&plu***n;3%&plu***n;1ns;

100ns~999ns&plu***n;3%&plu***n;5ns;

1000ns~2μs&plu***n;3%&plu***n;10ns。

Ø反向***电荷Qc:10nC~10μC

10nC~100nC&plu***n;3%&plu***n;2nC;

100nC~1000nC&plu***n;3%&plu***n;10nC;

1μC~10μC&plu***n;3%&plu***n;50nC。

Ø反向***电流峰值Irm

10 栅极电荷测试

测试条件:

Ø集电极电流ID:0A~900A

Ø集电极电压VDS:0V~50V

Ø栅极电压VGS:0V~+20V&plu***n;2%&plu***n;0.1V

Ø负载:***、阻性负载

Ø电感范围:20μH、50μH、100μH、200μH

Ø电阻范围:0.05R

Ø测试参数Qg:20nC~20μC

20nC~100nC&plu***n;5%&plu***n;10nC;

100nC~1000nC&plu***n;5%&plu***n;20nC;

1μC~10μC&plu***n;5%&plu***n;50nC;

10μC~20μC&plu***n;5%&plu***n;100nC。

11 雪崩测试

l电源电压:20-200V

l雪崩能量:实测

l雪崩电流:1A-200A

l电感:30uH、100uH、200uH

l电压波形:方波

l脉冲宽度:100μS-800mS

l测试频率:单次/重复

12 控制方式及夹具说明

控制方式:计算机控制;

数据采集方式:计算机采集;

测试结果显示方式:计算机显示;

计算机显示测试结果并可记录测试数据,测试记录表格按照用户提供的格式进行编写,器件编号输入方式手动输入;

本系统采用研华计算机进行时序控制、数据采集、数据显示等,测试系统具有人性化的操作界面,操作者可对测试条件等参数进行设置并保存,并可对测试数据进行存储,为了对测试结果进行统计和分析,记录数据可转为Excel表格格式。

夹具加热功能:

温度控制精度范围:75~150℃;

75℃-125℃&plu***n;1.0℃;

125℃-150℃&plu***n;1.5℃。

设备出厂时含一套测试夹具及适配器两个,后续添加适配器另行协商。

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地址:主营产品:电力电子,工业电气产品的研发

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