光刻胶市场

我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但***占比仍不足15%，发展空间巨大。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨，光刻胶 PR1-500A?，而需求量为10.12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计，光刻胶NR9-3000PY，得益于我国平面显示和半导体产业的发展，我国光刻胶市场需求，光刻胶IC1-200，在2022年可能突破27.2万吨。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场，光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等独特性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。

负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

A、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，光刻胶，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

i线***用粘度增强负胶系列：NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

g和h线***用粘度增强负胶系列：NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

B、加工负胶

加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长***。

加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强***通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶***时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

用于i线***的加工负胶系列：NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。