光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、***终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。
在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，光刻胶，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。
NR9-3000PY光刻胶
2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um，
3，光刻胶NR75-1000HP?，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，光刻胶NR74g-6000PY，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。
烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。
5，显影液
在已经***的硅衬底胶面喷淋显影液，光刻胶NR74g-1500PY，或将其浸泡在显影液中，正胶是***区、而负胶是非***区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
显影完成后通常进行工艺线的显影检验，通常是在显微镜下观察显影效果，显影是否彻底、光刻胶图形是否完好。
影响显影的效果主要因素：
1，***时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。
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