磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
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靶zhong毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
我国真空镀膜机行业发展现状和前景分析
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真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程技术领域的重要组成部分。随着***制造业高速发展，真空镀膜技术应用越来越广泛。从半导体集成电路、LED、显示器、触摸屏、太阳能光伏、化工、制药等行业的发展来看，对真空镀膜设备、技术、材料需求都在不断增加，包括制造大规模集成电路的电学膜;数字式纵向与横向均可磁化的数据纪录储存膜;充分展示和应用各种光学特性的光学膜;计算机显示用的感光膜;TFT、PDP平面显示器上的导电膜和增透膜;建筑、汽车行业上应用的玻璃镀膜和装饰膜;包装领域用防护膜、阻隔膜;装饰材料上具有各种功能装饰效果的功能膜;工、模具表面上应用的耐磨超硬膜;纳米材料研究方面的各种功能性薄膜等。
磁控溅射的工作原理
是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下***终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
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