B***150GB120DN2，Infineon英飞凌IGBT模块
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B***150GB120DN2
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B***150GB120DN2
B***150GB120DN2
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极***大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
Pd-功率耗散: 1.25 kW
封装 / 箱体: Half Bridge2
***小工作温度: - 40 C
***大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极***大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极***大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
Pd-功率耗散: 1.25 kW
封装 / 箱体: Half Bridge2
***小工作温度: - 40 C
***大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极***大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
