K4W4G1646B-HC11
产品概述
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| 制造商IC编号 | K4W4G1646B-HC11 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | GDDR3 SDRAM |
| IC代码 | 256MX16 gDDR3 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.5 V |
| 温度规格 | Commercial (0°C – 95°C) |
| 速度 | |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | |
| 潜在应用 | |
| Number Of Wo*** | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4G |
| Power | Normal Power |
| Generation | 3rd Generation |
| Internal Banks | 8 Banks |